仪器介绍
• DF-800 采用适应 CCD 采集的双帕邢一龙格光学系统，全谱接收；
• 创新的双光学系统型全谱接收装置，实现 120nm-850nm 谱线分析；
• 可分析铁、铜、铝、锌、镍、锡、钛等多种基体(可分析 N元素)；
• 独立的光谱采集、处理模块，高性能的 ARM 处理器，实时操作系统，独立优化的数据处理单元，可极大缩短分析时间，提高仪器的分析精度；
• 最新的第三代温度控制系统，大大降低了能耗，温度控制范围在士0.2℃，提高了仪器的稳定性；
• 数字化光源 DF Ⅱ -E型的采用，扩大了元素的分析范围，满足微量、常量、超高含量元素分析；
• 定制化平场光栅，减少 CCD 使用数量，提高了分析数据精度及稳定性，仪器体积大大缩小，便于移动及安装；
• 革新的气路设计，增加了火花台积灰冲洗功能，主从气路可调，气路板密封功能。减少气消耗，减少火花台积灰,大大缩短开机氩气氛围的建立时间；
• 软件功能齐全、数据显示灵活，可设置碳当量等各种伪元素显示，并具有多种可选的报告打印格式。
技术参数
| 光学系统 | 光学系统构造 | 双帕邢一龙格架法 |
| 曲率半径 | 350mm/273mm | |
光栅-:IV 型全息像差校正光栅 光栅二:罗兰光栅 | 光栅一刻线:2400线/mm 光栅二刻线:3600线/mm | |
| 波长范围 | 120-850nm | |
| 像素分辨率 | @200nm:7pm @150nm :2.4pm | |
| 自动恒温真空光学室 | 30+0.2℃，真空范围:1.2-2.5Pa | |
| 光源系统 | 光源类型 | 火花脉冲数字光源 |
| 控制技术 | 半导体 PWM 控制技术 | |
| 放电电流 | 10-400A | |
| 激发频率 | 100-1000Hz | |
| 放电时间 | 10-10000μS | |
| 火花台 | 最小氩气用量的冲氩式激发室 | |
| 易于更换的火花台盖板 | ||
| 快速更换试样的火花台压架 | ||
| 控制和数据采集系统 | 高分辨率 CCD 检测器 | |
| 线阵CCD:Toshiba(日本东芝) | ||
| 高速 16bit 采样精度 | ||
| 分辨率:3648 像元 | ||
| 温度、真空度实时监测 | ||
| 以太网高速通信 | ||
| 其他 | 分析材质 | 铁、铜、铝、镍、锌、锡、钛等基体 |
| 通道配置 | 适合多基体，多通道(含N元素的分析) | |
| 仪器尺寸 | 850mm(长)*570mm(宽)*520mm(高) | |
| 环境要求 | 温度 10℃ -35℃，湿度 20%-80% | |
| 重量 | 净重 60Kg，毛重 100Kg | |
| 电源 | AC220V+10%/50Hz | |
| 功率 | 分析时最大功率 800VA，待机状态 100VA | |
| 气体 | 氩气，纯龙格架法99%，压力≥0.4MPa | |
鲁公网安备37060002001237号
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